这种栅极可调性对于vdWs异质结构器件是至关重要的,步简在硬质基底(如SiO2/Si)上可通过外加静电场来实现。电项文献链接:PiezotronicEffectonInterfacialChargeModulationinMixed-dimensionalVanderWaalsHeterostructureforUltrasensitiveFlexiblePhotodetectors(NanoEnergy,2019,DOI:10.1016/j.nanoen.2019.01.024)本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。b)对于所示应变,目上在1.45-1.7eV范围内的光致发光光谱(暗线),目上间接带隙发射(I)、中性激子(A)和带电激子(A-)共振随应变表现不同,蓝线是对实验结果的洛伦兹拟合,I、A-和A组分以绿色、红色、深紫红色线分别显示。
网电e)压缩应变下WSe2-ZnO异质结构的能带调节示意图。图5自驱动WSe2-ZnOPD的压电调控性能a)光照下、辽宁理拉伸应变下,柔性WSe2-ZnOPD的示意图。
发文f)WSe2-ZnOPD的响应度随光照强度的变化。
d)WSe2-ZnO异质结构中光伏效应的示意图,进价管蓝色箭头表示电子/空穴移动方向。图二十九:步简GDY制备的发展蓝图【小结】作者全面综述了石墨炔材料的合成方法以及应用领域,并对其进行了展望。
电项(c)在GR上生长的GDY膜的光学图像。目上(d)SEM图像和(e)NFGD的EDS元素mapping图像。
网电投稿以及内容合作可加编辑微信:cailiaokefu。辽宁理(d)H-GDY的合成示意图。